Si4564DY-T1-GE3

Tranzistor MOSFET 40V 10A N/P kanál Id – trvalý prúd kolektora:10 AVds – Prierazné napätie medzi kolektorom a emitorom:40 VRds On – Odpor medzi kolektorom a emitorom:14.5 mOhms, 17.5 mOhmsPolarita tranzistora:N-Channel, P-ChannelVgs – Prierazné napätie medzi bázou a emitorom:16 V, 20 VVgs th – Prahové napätie medzi bázou a emitorom:2 V, - 2.5 VQg – náboj bázy:20.5 nC, 41.5 nCMaximální prevádzková teplota:+ 150 °CPd – chladený výkon:3.1 W, 3.2 WPúzdro:SO-8Konfigurácia:DualDoba poklesu:13 ns, 15 nsStrmosť vo vodivóm smere, min.:25 S, 27 SMinimálna prevádzková teplota:- 55 CDoba nárastu:15 ns, 40 nsSéria:SI45xxxYTypický čas zdržania pri vypnutí:23 ns, 40 nsTypická čas zdržania pri zopnutí í:11 ns, 42 ns