BSS308PE H6327

Tranzistor MOSFETRoHS: AnoTechnológia: SiŠtýl montáže: SMD / SMTBalík / vec: SOT-23-3Počet kanálov: 1 KanálPolarita tranzistora: P-kanálVds - Rozpadové napätie: 30 VId - priebežný odtok: 2 ARds On - Odolnosť voči odtoku: 62 mOhmsVgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 VVgs - Gate-Source Voltage: 20 VQg - Gate Charge: - 5 nCMinimálna prevádzková teplota: - 55 ° CMaximálna prevádzková teplota: + 150 ° CPd - výkonová strata: 500 mW (1/2 W)Konfigurácia: SingleRežim kanálu: VylepšenieKvalifikácia: AEC-Q101Výška: 1,1 mmDĺžka: 2,9 mm