Upozornenie!
Vitajte na našej novej stránke! Treba sa znova registrovať .
IPB029N06N3GATMA1 N-MOSFET unipolárny 60V 120A 188W TO263-3
N-MOSFET Tranzistor
Technológia OptiMOS™ 3
Polarizácia unipolárny
Napätie drain-source 60V
Prúd drainu 120A
Rozptýlenie energie 188W
Puzdro PG-TO263-3
Napätie gate-source ±20V
Odpor v zopnutom stave 2.9mΩ
Montáž SMD
Druh kanálu obohatený
Dodatočné parametre
Kategória: | Tranzistory s kanálom typu N SMD |
---|---|
Záruka: | 2 roky |
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.