Upozornenie!
Vitajte na našej novej stránke! Treba sa znova registrovať .
SQ2362ES-T1_GE3 N-MOSFET 60V 2,3A SOT-23
SQ2362ES-T1_GE3 N-MOSFET 60V 2,3A SOT-23
SQ2362ES-T1_GE3 N-MOSFET 60V 2,3A SOT-23
Púzdro SOT-23-3Počet kanálov: 1 KanálTyp produktu: MOSFETPolarita tranzistora: N-kanálVds - Odpadové napätie: 60 VId - priebežný odtok: 4.3 ARds On - Odolnosť voči odtoku: 68 mOhmsVgs th - prahová hodnota zdroja brány: 1,5 VVgs - Gate-Source Voltage: 10 VQg - Gate Charge: 7.6 nCMinimálna prevádzková teplota: - 55 ° CMaximálna prevádzková teplota: + 175 ° CPd - výkonová strata: 3 W
Dodatočné parametre
| Kategória: | N-MOSFET |
|---|---|
| Záruka: | 2 roky |
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.
Pridať komentár