Domov / Polovodičové súčiastky / Tranzistory / Tranzistory MOSFET / NPN
ODPORÚČAME

Ak máte záujem o súčiastky , ktoré nájdete skladom na Digi-Key alebo Mouser electronics 

a nechcete platiť poštovné tak nás kontaktujte  dodávame už od 1 ks dodacia doba 2-3 pracovné dni . Ceny na vyžiadanie . elecom@elecom.sk

 

Profesionálne osadzovanie plošných spojov nájdete na :

 

 

Novinky

SIR470DP-T1-GE3


Žiadne hodnotenie. Kód: SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Záruka: Bez záruky
Zvyčajne do 3-7 dní 0 ks
2,1735 € bez DPH
2,6082 € s DPH , plus doprava
(2,6082 € s DPH/ks)
 
Porovnať Prihláste sa pre prístup do zoznamu tovaru.

 

Obrázky sú len ilustračné , treba si prečítať špecifikáciu výrobku .

SIR470DP-T1-GE3

Tranzistor MOSFET NPNRoHS :: ÚdajeTechnológia: SiŠtýl montáže: SMD / SMTPaket / krabica: PowerPAK-SO-8Počet kanálov: 1 ChannelPolarita tranzistora: N-ChannelVds - Prierazné napätie medzi kolektorom a emitorom: 40 VId - trvalý prúd kolektora: 60 ARds On - Odpor medzi kolektorom a emitorom: 1.9 mOhmsVgs th - Prahové napätie medzi bázou a emitorom: 1 VVgs - Napätie medzi hradlom a emitorom: 20 VQg - náboj báza: 155 nCMinimálna prevádzková teplota: - 55 CMaximálna prevádzková teplota: + 150 CPd - chladený výkon: 104 WKonfigurácia: SingleKanálový režim: EnhancementObchodný názov: TrenchFET, PowerPAKObal: Cut TapeObal: MouseReelObal: ReelVýška: 1.04 mmDĺžka: 6.15 mmSéria: SIRTyp tranzistora: 1 N-ChannelŠírka: 5.15 mmZnačka: Vishay / SiliconixStrmosť vo vodivom smere, min .: 190 SDoba poklesu: 9 nsTyp produktu: MOSFETDoba nárastu: 11 ns

Hodnotenie
Tento tovar zatiaľ nikto nehodnotil. Buďte prvý a napíšte komentár alebo hodnotenie.